针对 GaN HEMTs 存在的大栅漏电流、严重栅滞后及阈值电压固定等问题，研究人员采用电子束蒸发技术开展 Hf0.5Zr0.5O2（HZO）铁电集成 HEMT（Fe-HEMTs）研究。制备的 20 nm HZO 器件具优异亚阈值摆幅等性能，阈值电压可调，为相关器件发展提供新途径。 在电子信息领域 ...
研究人员针对铁电Hf0.5Zr0.5O2(HZO)薄膜厚度缩减导致的漏电流激增问题，通过多尺度表征与理论计算相结合，揭示晶界陷阱密度 ...
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