HfO 2 因其独特的铁电性能和兼容性，已成为抗辐照大规模存储器的新型材料。然而，HfO 2 铁电相容易受到氧空位与电荷的影响，使其在高辐照环境下面临着铁电特性分散化的潜在威胁，因此，研究辐照位移损伤及其影响对HfO 2 基铁电存储的大规模制造与应用意义 ...

本研究针对HfO2基铁电材料极性相亚稳态难题，通过设计高质量外延(HfO2)n/(ZrO2)n超晶格结构，实现了厚度范围达100 nm的稳定铁电 ...

HfO2 材料，是集成电路互补金属氧化物半导体（CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor）工艺中常用的一种 high-k 材料，制备工艺较为成熟。 因此，当学界在 HfO2 基材料中发现铁电特性之后，氧化铪基铁电存储器被认为是最有潜力的下一代非易失性存储器。 但是 ...

这篇研究通过构建超疏水HfO2涂层玻璃纤维隔膜（HfO2@GF），利用高介电常数材料HfO2的麦克斯韦极化效应（Maxwell polarization）诱导界面定向电场，同步实现Zn2+均匀沉积与SO42?静电排斥。该隔膜促进Zn(101)晶面择优暴露，结合疏水特性抑制副反应，使对称电池在10 mA cm?

因应人工智能、物联网、5G、车载等新兴科技所迎来的巨量资讯分析需求，近年来各国政府及国际知名大厂皆积极地投注大量资源，加速开发兼具提升运算速度以及降低耗能的下世代存储器。而新兴存储器技术选项中，当属铁电存储器最被看好，其原理、技术 ...

中科院微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队与中国科学院物理所杜世萱研究员团队合作，发现了一种稳定的铁电三方相Hf(Zr)1+xO2材料结构，这种结构降低了HfO2基铁电材料中铁电偶极子的翻转势垒。 互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的 ...